- FET
 
07-24
                                2025
                            AGM312MAP场效应管(MOSFET)N+P 30V用于英集芯
AGM312MAP场效应管(MOSFET)N+P 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)18A适用于英集芯IP6821无线充15W发射方案
                                
                            04-10
                                2024