AGM312MAP场效应管(MOSFET)N+P 漏源电压(Vdss)30V用于英集芯IP6821无线充15W发射方案 - MOS管

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AGM312MAP

产品品牌 :
AGM;类别: MOS管
厂商型号 :
AGM312MAP
封装规格 :
PDFN3.3*3.3
数据手册 :
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包装方式 :
真空卷带
产品咨询 :
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产品描述

产品属性属性值
产品分类 : MOS
产品品牌 : AGM
产品型号 : AGM312MAP
包装数量 : 5000 PCS
包装方式 : 真空卷带
封装规格 : PDFN3.3*3.3

产品详情

AGM312MAP用于无线充15W发射方案N+P MOS管简要参数:

属性
参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型N沟道+P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)18A;18A
功率(Pd)3.6W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)17mΩ@10V,10A;24mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.1nC@4.5V;12nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)440pF@25V;860pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)32pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)


AGM312MAP用于无线充15W发射方案N+P MOS管结构图示:

微信图片_20240410105059


AGM312MAP用于无线充15W发射方案N+P MOS管重要参数:

微信图片_20240410105048

AGM312MAP用于无线充15W发射方案N+P MOS管典型参数特性:

微信图片_20240410105359


AGM312MAP用于无线充15W发射方案N+P MOS管包装信息说明:

微信图片_20240410105346


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TAG标签: 15W 无线 5W 方案 AGM312MAP


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