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AGM312MAP场效应管(MOSFET)N+P 30V用于英集芯

AGM312MAP场效应管(MOSFET)N+P 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)18A适用于英集芯IP6821无线充15W发射方案
栏目：MOS管
04-10
2024
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