GaN功率器件MOS及IGBT驱动功率放大器充电ic_第2页 - 诺芯盛科技

三档小风扇驱动芯片SWH1543A高集成电机驱动

型号：SWH1543A

品牌：小风扇驱动ic

大功率电磁炉igbt驱动芯片封装TO94直插n531芯片资料

型号：N531

品牌：MOS栅极驱动芯片

N532功率放大器直接推动IGBT及功率MOSFET可推动1

型号：N532

品牌：MOS栅极驱动芯片

N531小家电推挽功率放大器电路IGBT驱动芯片

型号：N531

品牌：MOS栅极驱动芯片

彩色LED驱动芯片18位恒电流ET6037Y

型号：ET6037Y

品牌：LED驱动芯片

3.6V 0.22F钮扣超级电容器HT-3R6-D224VY

型号：HT-3R6-D224VYH3E

品牌：超级电容

精工2.7V 1F圆柱式超级法拉电容器HESR2R7105Z

型号：HESR2R7105Z-L

品牌：超级电容

安森德ASDM100R012NHT-R直流马达驱动控制MOS

型号：ASDM100R012NHT-R

品牌：MOS管

Ruichips锐骏RU207C无线充功率mos管

型号：RU207C

品牌：MOS管

2.7V 3.3F圆柱超级电容器

型号：HESR2R7335N-L

品牌：超级电容

首页上一页 1 2 3 4 5 6 下一页尾页

共 6 页 56 条

相关案例

新闻动态

11-11

s1002无线充ic

3W无线充接收IC s1002集成高效率转换与小封装设计，提升充电性能与兼容性。

查看详情
04-18

无线充电器生产厂家

随着科技的发展，无线充电器逐渐成为我们生活中的重要工具。各大企业纷纷布局，致力于提供高效、稳定、便捷的无线充电解决方案。无线充电器凭借其独特的技术特点，如无线传输、便捷使用和高效充电等，深受消费者喜爱

查看详情
07-13

诺芯盛@手机无线充电发热吗？

无线充电器在电磁能量转换过程中，线圈的绕线密度影响其内阻大小，导致发热来源呈现多线程特征。手机壳材料的选择可能影响线圈区域温度，金属装饰环引发的涡流效应可使局部温度升高。温度过高会对电池产生热力学和电

查看详情

深圳总部

电话：18520818530

手机：185-2081-8530（林生）

邮箱：lin@icgan.com

地址：深圳市龙华区大浪街道华辉路同胜科技大厦A座1007

东莞工厂

邮箱：lin@icgan.com

地址：东莞虎门高铁站旁

诺芯盛科技-产品目录下载（PDF）

诺芯盛科技公司微信扫码咨询客服

微信扫码咨询客服

留言咨询

185-2081-8530

18520818530