永源微AP8G02LI无线充发射端mos
你是否好奇，无线充发射端的核心功率管如何左右效率、体积和成本？从手机到TWS充电仓，越来越多设备对无线充电性能提出更高要求。作为永源微最新推出的N+PMOS混合方案，AP8G02LI凭什么成为行业新风向？
从H桥看无线充发射端的“指挥家”角色
无线充电本质是将直流电转换为高频交流，再通过线圈产生交变磁场，最后在接收端还原成电能。H桥电路就像节奏精准的指挥家，负责瞬息切换电流方向，维持磁场高效振荡。精准的开关控制、合理的死区时间和稳定的驱动信号，是实现高功率输出与低损耗的必备条件。
三大优势：阴阳调和、性能成本平衡与EMI柔性调节
驱动逻辑的“阴阳调和”
• N型MOS低导通电阻（Rds_on）适合主电流通路，却需高于电源电压的驱动；
• P型MOS则能在低电平驱动下导通，省去电荷泵电路。
在IP6821方案中，AP8G02LI通过软件配置死区时间和驱动强度，实现N管发力、P管省电的协同效应，整体功耗更低。
性能与成本的平衡
继承PDFN3×3小封装思路，AP8G02LI让5W/7.5W TWS充电仓、10W/15W磁吸充电宝，都能在有限PCB面积内轻松布局，省去额外升压和校准电路，降低BOM成本。
EMI优化的“柔性调节”
高频噪声是无线充发射端的敏感指标。配合IP6824芯片，AP8G02LI的驱动能力可分档调节，延缓开关边沿斜率，就像给磁场振荡套上缓震器，显著提升EMI测试裕量，减少对手机、手表等周边设备的干扰。
覆盖5W–15W：实战表现经得起考验
在5-7.5W的TWS充电仓场景下，AP8G02LI温升控制优异；在10-15W的磁吸手机充电模块中，它配合动态功率管理（DPM），可自动识别接收端需求，平滑切换档位，兼容WPC Qi 1.3与PD协议，满足多协议无线充需求。
最佳搭配：IP6821/6824＋AP8G02LI
• IP6821+AP8G02LI：外置N+PMOS方案，软件调节灵活，成本优化；
• IP6824+AP8G02LI：集成QFN40封装，自带多协议识别与DPM功能，简化外部元件布局，最快可实现15W输出。
破局要点：热管理与寄生二极管
高功率下，PMOS导通电阻高于NMOS，热损耗不可忽视。可选用优化工艺的高性能PMOS，或让NMOS承担主流道。精准配置死区时间和加装RC吸收电路，有效抑制寄生二极管反向导通的电压尖峰。
未来展望：更高集成与智能化
下一代无线充发射端将朝“驱动+MOS二合一”演进，结合实时监测线圈电流与温度的自适应算法，延长满功率连续运行时间。GaN与硅基MOS的混合应用，也有望突破20W以上效率天花板，开拓车载、医疗等高端场景。
技术世界没有“完美”的零件，只有“恰好匹配”的系统。永源微AP8G02LI不是理论最优，却在现实应用中解决了性能、成本与体积的平衡难题。想了解更多无线充发射端架构秘诀？
