诺芯盛科技N531是一款通用的功率开关控制可以替代由分立元件组成的推挽电路，可以直接驱动IGBT, 功 率MOSFET，继电器等功率开关。

一、N531在电磁炉IGBT驱动电路的作用之工作原理：

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。

       IGBT的工作原理不同于MOS，但使用上可视作加强版的NMOS（NMOS管工作原理是低电平关闭，高电平开启）。其功率性能比MOS更好，具有更高的耐压，更小的导通功率损耗，更快的工作频率。

二、N531在电磁炉IGBT驱动电路的作用之MOS（或者IGBT）的推动条件：

       MOS（或者IGBT）栅极开关时的上升沿和下降沿一般要求在100ns~200ns以内。而单片机的驱动能力只有50mA，假如用单片机直接推动MOS（或者IGBT）栅极，则栅极用0电平爬升至5v，需要1us以上。100kHz频率对用的时间长度为10us，这样以来MOS（或者IGBT）开启和关闭瞬间的功率损耗将大大影响电源效率，并且MOS（或者IGBT）会发热，并可能烧毁。

三、N531在电磁炉IGBT驱动电路的作用之单片机MCU和功率MOS（或者IGBT）的配合说明图：

四、N531在电磁炉IGBT驱动电路的作用之N531所替代的常规过渡部分描述图：

五、N531在电磁炉IGBT驱动电路的作用之N531目前版本不能应用的场合：

（1）目前没有加入使能控制。（4个pin，以后可能考虑5pin多一个使能来控制N531上电开启）；

（2）不能用于推PMOS；（市面上绝大部分应用都是NMOS和IGBT）

（3）静态功耗不为零，有1mA左右的静态功耗；

（4）耐压最高24v，保险20v以内应用；

（5）推线圈或继电器，因为工作在极低工作频率下，建议负载最大电流100mA以内。